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内容简介：本书共分为12章，内容涵盖功率半导体器件基础，SiC二极管的主要特性，SiCMOSFET参数的解读、测试及应用，SiC器件与Si器件特性对比，双脉冲测试技术，SiC器件测试和失效分析技术，高di/dt影响与应对—关断电压过冲，高dv/dt的影响与应对—串扰，高dv/dt影响与应对—共模电流，共源极电感影响与应对，驱动电路，SiC器件的主要应用。