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碳化硅器件工艺核心技术

著者(希)康斯坦丁·泽肯特斯(Konstantinos Zekentes)，(英)康斯坦丁·瓦西列夫斯基(Konstantin Vasilevskiy)等著,贾护军，段宝兴，单光宝译
ISBN9787111741886
分类号TN303 电子技术、通信技术
学科工学
版次第1版
出版社机械工业出版社
丛书名半导体与集成电路关键技术丛书
出版年2024
价格¥189.00
页码16,411页
类型 📄 纸质书
核心评分9.7/10
读者对象—
主题词功率半导体器件—研究
内容简介：本书共9章，以碳化硅(SiC)器件工艺为核心，重点介绍了SiC材料生长、表面清洗、欧姆接触、肖特基接触、离子注入、干法刻蚀、电解质制备等关键工艺技术，以及高功率SiC单极和双极开关器件、SiC纳米结构的制造和器件集成等，每一部分都涵盖了上百篇相关文献，以反映这些方面的最新成果和发展趋势。
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