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氮化镓凹槽阳极器件理论与应用
著者
张进成著
ISBN
9787030803894
分类号
TN315 电子技术、通信技术
学科
工学
版次
第1版
出版社
科学出版社
丛书名
—
出版年
2024
价格
¥188.00
页码
260页
类型
📄 纸质书
核心评分
8.5
/10
读者对象
—
主题词
氮化镓—半导体二极管—研究
内容简介:
本书共8章,内容包括:绪论、凹槽阳极GaN肖特基结器件制备工艺、位错免疫的凹槽阳极GaN肖特基结器件结构与特性、凹槽阳极GaN肖特基结开启电压调控方法、面向不同应用的凹槽阳极GaN肖特基二极管、凹槽阳极结构肖特基漏高电子迁移率晶体管、氮化镓p沟道凹槽栅场效应晶体管、大功率GaN二极管整流及限幅电路。
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