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氮化镓凹槽阳极器件理论与应用

著者张进成著
ISBN9787030803894
分类号TN315 电子技术、通信技术
学科工学
版次第1版
出版社科学出版社
丛书名
出版年2024
价格¥188.00
页码260页
类型 📄 纸质书
核心评分8.5/10
读者对象
主题词氮化镓—半导体二极管—研究
内容简介:本书共8章,内容包括:绪论、凹槽阳极GaN肖特基结器件制备工艺、位错免疫的凹槽阳极GaN肖特基结器件结构与特性、凹槽阳极GaN肖特基结开启电压调控方法、面向不同应用的凹槽阳极GaN肖特基二极管、凹槽阳极结构肖特基漏高电子迁移率晶体管、氮化镓p沟道凹槽栅场效应晶体管、大功率GaN二极管整流及限幅电路。
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