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内容简介：本书首先简要阐述近年来新型瞬态电真空半导体光电子器件的内涵、特点、研究意义与国内外发展现状，使读者对新型瞬态电真空半导体光电子器件有一个宏观把握和大致了解：接着对影响新型瞬态电真空半导体光电子器件总体设计方案的多种外界约束条件和性能指标进行分析；然后重点论述新型瞬态电真空半导体光电子器件总体情况与发展趋势，并分别详细论述了宽禁带紫外半导体激射原理，电真空光电倍增原理与复合探测机制，真空半导体电子倍增成像器件以及未来光电调制技术等。每个部分都包括基本原理系统约束、关键技术及其器件优化设计与性能平衡。