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硅基半导体应变理论与生长动力学
| 著者 | 戴显英等著 |
| ISBN | 9787560675039 |
| 中图分类 | O47 物理学 |
| 学科分类 | 理学 |
| 版次 | 第1版 |
| 出版社 | 西安电子科技大学出版社 |
| 丛书名 | — |
| 出版年 | 2025 |
| 页码 | 189页 |
| 价格 | ¥47.00 |
| 可推荐册数 | 请登录后查看 |
| 核心评分 |
8.7/10
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📝 内容简介
本书分为9章，主要内容包括硅基半导体应变理论与技术、硅基半导体应变能带理论与空间群、应变锗能带结构计算、硅基半导体应变弹塑性力学理论、临界带隙应变Ge1-xSnx合金能带特性与迁移率计算、硅基半导体应变材料的RPCVD计算流体动力学模拟研究、硅基半导体应变材料CVD生长机理与生长动力学模型、硅基半导体应变材料的缺陷形成机理与控制方法、硅基半导体应变材料的生长动力学与制备实验。
🏛️ 本馆馆藏信息
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