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集成电路器件抗辐射加固设计技术
| 著者 | 闫爱斌[等]著 |
| ISBN | 9787030747143 |
| 中图分类 | TN402 电子技术、通信技术 |
| 学科分类 | 工学 |
| 版次 | 第1版 |
| 出版社 | 科学出版社 |
| 丛书名 | — |
| 出版年 | 2023 |
| 页码 | 214页 |
| 价格 | ¥129.00 |
| 可推荐册数 | 请登录后查看 |
| 核心评分 |
8.9/10
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📝 内容简介
本书从集成电路器件可靠性问题出发,具体阐述了辐射环境、辐射效应、软错误和仿真工具等背景知识,介绍了抗辐射加固设计(RHBD)技术以及在该技术中常用的相关组件,针对表决器、锁存器、主从触发器和静态随机访问存储器(SRAM)单元介绍了经典的和新颖的RHBD技术,描述了相关实验并给出了容错性能和开销对比分析。
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