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纳米级CMOS VLSI电路:可制造性设计
| 著者 | (美)桑迪普·昆杜(Sandip Kundu),(美)阿斯温·斯雷德哈(Aswin Sreedhar)著 |
| ISBN | 9787111782704 |
| 中图分类 | TN432.02 电子技术、通信技术 |
| 学科分类 | 工学 |
| 版次 | 第1版 |
| 出版社 | 机械工业出版社 |
| 丛书名 | 集成电路大师级系列 |
| 出版年 | 2025 |
| 页码 | 216页 |
| 价格 | ¥79.00 |
| 可推荐册数 | 请登录后查看 |
| 核心评分 |
8.1/10
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📝 内容简介
本书提供了经过验证的、优化电路设计的方法,以提高产品的良率、可靠性和可制造性,并减少缺陷和故障。本书首先介绍了CMOS VLSI设计的趋势,并简要介绍了可制造性设计和可靠性设计的基本概念;其次介绍了半导体制造的各种工艺步骤,并探讨了工艺与器件偏差以及分辨率增强技术;然后深入研究了半导体制造过程中的各种制造缺陷及其对电路的影响,并讨论了可靠性问题的物理机制及其影响;最后探讨了在电路实现过程中不同阶段采用DFM和DFR方法所带来的变化。
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