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图解高可靠性SiC功率半导体器件与封装技术
| 著者 | (日) 岩室宪幸著 |
| ISBN | 9787111790990 |
| 中图分类 | TN305.94-64 电子技术、通信技术 |
| 学科分类 | 工学 |
| 版次 | 第1版 |
| 出版社 | 机械工业出版社 |
| 丛书名 | 集成电路科学与技术丛书 |
| 出版年 | 2025 |
| 页码 | 153页 |
| 价格 | ¥69.00 |
| 可推荐册数 | 请登录后查看 |
| 核心评分 |
8.9/10
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📝 内容简介
本书共有5章，首先讲解了包括功率半导体器件基础，如种类、结构、在电路中的作用等；接着阐述了硅功率半导体器件现状，重点聚焦SiC功率半导体器件，并深入探讨了SiC-MOSFET的结构、原理、应用、发展现状、面临的挑战及解决方法，详细论述了其耐受能力指标，如短路、关断等耐受能力，最后讲解了SiC-MOSFET封装技术。
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