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碳化硅功率器件—特性、测试和应用技术
| 著者 | 高远，张岩编著 |
| ISBN | 9787111778936 |
| 中图分类 | TN303 电子技术、通信技术 |
| 学科分类 | 工学 |
| 版次 | 第2版 |
| 出版社 | 机械工业出版社 |
| 丛书名 | 电力电子新技术系列图书 |
| 出版年 | 2025 |
| 页码 | 19,536页 |
| 价格 | ¥149.00 |
| 可推荐册数 | 请登录后查看 |
| 核心评分 |
10/10
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📝 内容简介
本书共分为12章，内容涵盖功率半导体器件基础，SiC二极管的主要特性，SiCMOSFET参数的解读、测试及应用，SiC器件与Si器件特性对比，双脉冲测试技术，SiC器件测试和失效分析技术，高di/dt影响与应对——关断电压过冲，高dv/dt的影响与应对——串扰，高dv/dt影响与应对——共模电流，共源极电感影响与应对，驱动电路，SiC器件的主要应用。
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