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氮化镓电子器件热管理
| 著者 | (美)马尔科·J. 塔德尔(Marko J. Tadjer), (美)特拉维斯·J. 安德森(Travis J. Anderson)主编,来萍[等]译 |
| ISBN | 9787111764557 |
| 中图分类 | TN303 电子技术、通信技术 |
| 学科分类 | 工学 |
| 版次 | 第1版 |
| 出版社 | 机械工业出版社 |
| 丛书名 | 先进半导体产业关键技术丛书 |
| 出版年 | 2025 |
| 页码 | 14,415页 |
| 价格 | ¥168.00 |
| 可推荐册数 | 请登录后查看 |
| 核心评分 |
9.8/10
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📝 内容简介
本书概述了业界前沿研究者所采取的技术方法,以及他们所面临的挑战和在该领域所取得的进展。具体内容包括宽禁带半导体器件中的热问题、氮化镓(GaN)及相关材料的第一性原理热输运建模、多晶金刚石从介观尺度到纳米尺度的热输运、固体界面热输运基本理论、氮化镓界面热导上限的预测和测量等。
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