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氮化镓与碳化硅功率器件—基础原理及应用全解—from fundamentals to applied design and market analysis
| 著者 | (意)毛里齐奥·迪保罗·埃米利奥(Maurizio Di Paolo Emilio)著,邓二平，吴立信，丁立健译 |
| ISBN | 9787122477545 |
| 中图分类 | TN303 电子技术、通信技术 |
| 学科分类 | 工学 |
| 版次 | 第1版 |
| 出版社 | 化学工业出版社 |
| 丛书名 | — |
| 出版年 | 2025.07 |
| 页码 | 195页 |
| 价格 | ¥99.00 |
| 可推荐册数 | 请登录后查看 |
| 核心评分 |
8.6/10
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📝 内容简介
本书内容以实用性为出发点，阐释了氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)半导体的原理、制造工艺、特性表征、市场现状以及针对关键应用的设计方法。针对GaN器件，从材料特性、芯片设计、制造工艺和外特性各方面深入分析，介绍了仿真手段和各种典型应用，最后还介绍了目前主流的技术和GaN公司。
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