📖 书目详情
氮化镓凹槽阳极器件理论与应用
| 著者 | 张进成著 |
| ISBN | 9787030803894 |
| 中图分类 | TN315 电子技术、通信技术 |
| 学科分类 | 工学 |
| 版次 | 第1版 |
| 出版社 | 科学出版社 |
| 丛书名 | — |
| 出版年 | 2024 |
| 页码 | 260页 |
| 价格 | ¥188.00 |
| 可推荐册数 | 请登录后查看 |
| 核心评分 |
8.2/10
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📝 内容简介
本书共8章，内容包括：绪论、凹槽阳极GaN肖特基结器件制备工艺、位错免疫的凹槽阳极GaN肖特基结器件结构与特性、凹槽阳极GaN肖特基结开启电压调控方法、面向不同应用的凹槽阳极GaN肖特基二极管、凹槽阳极结构肖特基漏高电子迁移率晶体管、氮化镓p沟道凹槽栅场效应晶体管、大功率GaN二极管整流及限幅电路。
🏛️ 本馆馆藏信息
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